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퀄컴 스냅드래곤 835용 CES 슬라이드 유출

Qualcomm-Snapdragon-835-02퀄컴의 CES 프레스 컨퍼런스는 1월 3일 오후 2시(미국 라스베가스 현지 기준)에 잡혀 있는데요. 이 자리에서 스냅드래곤 385를 공개할 가능성이 매우 높게 점쳐져 왔습니다. 그런데 실제 CES 발표 용으로 보이는 스냅드래곤 835의 슬라이드가 인터넷에 유출됐습니다. 이미 지난 해 11월 스냅드래곤 835의 생관 관련 첫 공개에서 삼성 10nm 공정으로 생산할 것이라고 발표한 퀄컴이었지만, 당시에 자세히 밝히지 않았던 제원을 이번 슬라이드에서 공개되었네요.

Qualcomm-Snapdragon-835-01스냅드래곤 835는 지난 해 출시했던 스냅드래곤 820 칩셋보다 27% 향상된 성능과 10nm 미세 공정으로 인해 다이 크기가 더 작아졌습니다. 스냅드래곤 835는 옥타코어로 알려진 크라이오(Kryo) 280 코어가 탑재되는 한편, 기가비트급 LTE 모뎀인 X16을 탑재하는 최초의 칩셋입니다

Qualcomm-Snapdragon-835-03또한 최신 스냅드래곤 칩셋보다 60배 많은 색상을 처리하는 아드레노(Adreno) 540을 GPU로 채택했고 렌더링 속도는 25% 빨라졌다네요. 또한 오픈GL ES, 불칸(Vulkan), D다이렉트X 12 그래픽 API를 지원하는 동시에 60프레임의 10비트 4K 비디오 재생까지 처리합니다. 빠른 AF를 위한 개선왼 DSP와 함께 대용량 배터리를 빠르게 충전할 수 있는 퀵 차지 4.0은 퀵차지 3.0보다 20% 빠르게 배터리를 충전하고 15분만 충전해도 배터리를 50% 충전합니다.

Qualcomm-Snapdragon-835-04스냅드래곤 835를 채택한 최초의 제품은 상반기에 출시될 예정인데요. 현재 삼성 갤럭시 S8과 LG G6에 탑재될 것으로 예상되고 있습니다. 모두 MWC를 전후에 발표될 제품이네요.

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