인텔이 프로세서 제조 로드맵 및 제조 공정 관련 명칭에 대한 계획을 인텔 액셀러레이티드 웹캐스트를 통해 발표했습니다.
인텔은 현재 나노미터(nm) 방식으로 표기되는 제조 공정 명명법이 실제와 다른 부분이 있는 만큼 이에 대해 개선된 명명법을 쓴다고 밝혔습니다.
이에 따라 종전 10nm 슈퍼핀으로 불렀던 노드 공정은 앞으로 인텔 7으로 부릅니다.
또한 극자외선 리소그래프 공정을 채택한 7nm 공정은 인텔 4로, 2세대 7nm+ 공정 제품은 인텔 3로 부릅니다.
2024년 인텔 20A(A: Ångström, 옹스트롬)는 이전 5nm로 알려진 공정으로 리본펫(RibbonFET)라는 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터를 적용합니다.
오른쪽이 리본펫(RibbonFET)이라 부르는 게이트 올 어라운드 트랜지스터
2025년 인텔 18A 노드는 5nm+ 공정으로 알려진 것으로 ASML의 최신 극자외선 장비인 하이-나(High-NA) 장비를 활용한 것이라고 밝혔습니다.
이처럼 인텔이 전혀 다른 노드명을 쓰는 것은 TSMC나 삼성의 공정에 따른 밀도와 일치시키려는 이유입니다.
즉, 인텔 4는 TSMC나 삼성의 5nm 또는 4nm 공정과 트랜지스터 밀도가 비슷하다는 점을 알리려는 이유입니다.
하지만 지금까지 단위 기준의 공정으로 받아들이고 있는 소비자들에게 인텔만의 방식을 이해시키기까지 많은 노력이 필요할 것 같네요.
글쓴이 | Editor_B
언제나 기분 좋은 소식을 전하고 싶습니다.
news@techg.kr
언제나 기분 좋은 소식을 전하고 싶습니다.
news@techg.kr
