삼성전자의 zHBM 목업
삼성전자가 8월4일부터 8월6일까지(현지 시각) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 차세대 3D 메모리 구조 zHBM과 zNAND-O 모형을 업계에서 처음 공개했습니다.
zHBM은 기존처럼 인공지능 가속기(xPU) 옆에 HBM을 두는 방식에서 벗어나 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄인 구조로, HBM5보다 성능은 최대 8배, 전력 대비 성능은 최대 3배 높이고 열 저항은 절반 넘게 낮췄습니다.
zHBM은 메모리와 가속기 사이 중간층에 맞춤형 설계자산(IP)을 더해 용량 확장이나 가속기 성능 강화 같은 고객별 요구에 맞춰 최적화할 수 있는 구조입니다.
zNAND-O는 종전 V낸드의 수직 적층 기술에 실리콘관통전극(TSV)을 결합해 4단이나 8단 칩을 3D로 패키징한 제품으로, 온디바이스 인공지능 환경에 맞춰 공간 효율과 데이터 로딩 대역폭, 응답 속도를 끌어올렸습니다.
삼성전자의 zNAND-O 목업
zHBM·zNAND-O와 함께 공개한 V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩과 3스택 기술로 400단 이상 초고적층 구조를 구현해 집적도를 전 세대인 V9보다 약 58% 높였습니다.
HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 같은 차세대 메모리·저장 장치 발전 계획도 함께 내놓은 삼성전자는 클라우드 서버를 형상화한 20평 규모의 전시공간에서 클라우드 AI, 에지 AI 세 구역에 D램부터 낸드, 저장 장치까지 아우르는 약 30개 제품을 전시 중입니다.
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